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电子元器件详细资料 » IC[11870] » BD810G
型号:BD810G类别:晶体管(BJT) - 单路制造商:ON Semiconductor
封装:TO-220-3描述:TRANS PNP 80V 10A BIPO TO-220AB

详细参数

类别晶体管(BJT) - 单路
描述TRANS PNP 80V 10A BIPO TO-220AB
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型PNP
电流_集电极(Ic)111最大22210A
电压_集电极发射极击穿111最大22280V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大2221.1V @ 300mA,3A
电流_集电极截止111最大222-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)15 @ 4A,2V
功率_最大90W
频率_转换1.5MHz
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
包装管件

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳信泰电子器材有限公司廖先生0755-83242658
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市捷富芯科技有限公司林生13686489274
深圳市宏世佳电子科技有限公司高小姐/李先生086-0755- 82556029/82532511
深圳市科思奇电子科技有限公司林小姐/朱先生0755-83245050/82785939
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